關(guān)于電阻在電路當(dāng)中的使用，網(wǎng)絡(luò)上有很多相關(guān)資料可供查閱。但這些資料針對(duì)的情況較少，無(wú)法滿足設(shè)計(jì)者們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)過(guò)程中遇到的這樣或者那樣的問(wèn)題。在本文當(dāng)中驪微電子小編就將為大家介紹一個(gè)電阻在升壓芯片電路中的位置問(wèn)題。

 

    在本例中，驪微電子小編帶領(lǐng)大家來(lái)分析在某些電路中如果想要pwm波正常，為什么需要在mos管G級(jí)與DC-DC升壓芯片之間要加個(gè)電阻。

 

    很多電路在驅(qū)動(dòng)mos管時(shí)候，都會(huì)在柵極上串一個(gè)很小的電阻，從幾歐姆到十幾歐姆不等。網(wǎng)絡(luò)上的資料對(duì)這種做法解釋不一，有的說(shuō)是限制電流、保證開(kāi)關(guān)速度，有的說(shuō)是驅(qū)動(dòng)互補(bǔ)mos管時(shí)防止直通，眾說(shuō)紛紜，那么真相究竟是怎樣的呢？

 

    簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，MOSFET的閘極有雜散電容有引線電感走線電感輸入阻抗又高Q值大容易諧振。因此加個(gè)電阻或磁珠降低Q值讓它不容易振蕩，電阻有額定功率，當(dāng)超過(guò)其額定功率時(shí)，電阻就會(huì)燒毀。之所以要求額定功率值是因?yàn)榻oMOS管柵極電容充電時(shí)，充電電流可能會(huì)很大，如果電阻額定功率不夠，同樣可能被燒掉。

 

   另一方面，電阻的這種現(xiàn)象也與EMI的設(shè)計(jì)有所關(guān)聯(lián)。減緩驅(qū)動(dòng)波形上升速度，假設(shè)驅(qū)動(dòng)方波上升時(shí)間為t，則方波頻域上高頻時(shí)轉(zhuǎn)折頻率為1/（pai*t），t越小則高頻成分越高。加上一個(gè)小電阻，可以減小Cgs的充電速度，減小驅(qū)動(dòng)波形的上升速度。減小dv/dt為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小集電極的電壓尖峰，應(yīng)在柵極串上合適的電阻Rg。當(dāng)Rg增大時(shí)，導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，損耗發(fā)熱加劇。Rg減小時(shí)，di/dt增高，可能產(chǎn)生誤導(dǎo)通，使器件損壞。應(yīng)根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選取Rg的數(shù)值。通常在幾歐至幾十歐之間（在具體應(yīng)用中，還應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況予以適當(dāng)調(diào)整）。另外為防止門(mén)極開(kāi)路或門(mén)極損壞時(shí)主電路加電損壞器件，建議在柵射間加入一電阻Rge，阻值為10kΩ左右。