中國發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)再有新進(jìn)展!中國武漢新芯將建新記憶體廠，新廠動(dòng)土儀式就落在本月 28 日，根據(jù)科技新報(bào)取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場謠傳的 DRAM 廠，據(jù)悉，國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)與湖北省政府已到位，武漢新芯已磨刀霍霍進(jìn)軍 Flash 市場。

 

     中國擬自建半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，在國安、軍事考量下，記憶體一直是中國亟欲自足發(fā)展的領(lǐng)域，并屬意選定一個(gè)省市為重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域，先前在六大地方政府競逐下，最終由武漢新芯出線，獲得大基金挹注，統(tǒng)籌整體記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

 

     據(jù) 悉大基金與湖北地方政府資金已于二月底到位，武漢新芯將于本月 28 日舉行動(dòng)土儀式，并已發(fā)出邀請(qǐng)函，從邀請(qǐng)函內(nèi)容顯示，新的廠區(qū)將落戶于武漢東潮新技術(shù)開發(fā)區(qū)，投資總金額高達(dá) 240 億美元，外傳武漢新芯將先興建 12 寸 DRAM 廠，然根據(jù)科技新報(bào)取得的消息，武漢新芯將先行建造 Flash 廠，同樣生產(chǎn) NOR 型 Flash，并逐步移轉(zhuǎn)至 NAND Flash 產(chǎn)品，甚至 3D NAND Flash，最終目標(biāo)產(chǎn)能 30 萬片。

 

     從 3D NAND Flash 彎道超車的野心

 

    從 武漢新芯近期的布局或可看出端倪，2015 年 5 月，武漢新芯才與 NOR 記憶體廠商飛索半導(dǎo)體(Spansion)簽訂合作協(xié)議與交叉授權(quán)發(fā)展 3D NAND Flash 技術(shù)。從武漢新芯財(cái)務(wù)長陳少民、營運(yùn)長洪沨近期出席上海 SEMICON China 與廈門 2015 集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)的談話，主軸同樣繞在 Flash 產(chǎn)業(yè)的布局。

 

    武漢新芯財(cái)務(wù)長陳少民在 15 日才開幕的上海 SEMICON China 記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上即指出，“日本抓住了 DRAM 發(fā)展機(jī)遇，韓國抓住了 DRAM 和 NAND 發(fā)展機(jī)遇，兩國都成為了記憶體行業(yè)的領(lǐng)頭羊。如今 3D NAD 技術(shù)興起，十三五規(guī)劃又將半導(dǎo)體作為發(fā)展重點(diǎn)，我們正謂正好走到了一個(gè)發(fā)展的‘風(fēng)口’勢(shì)必把握這一機(jī)會(huì)。”洪沨早前也稱，3D NAND Flash 將成為中國記憶體晶片產(chǎn)業(yè)彎道超車的切入點(diǎn)。武漢新芯、中國的記憶體布局或?qū)��?Flash 展開。

 

    大廠紛紛押寶，價(jià)格戰(zhàn)已可預(yù)見?

 

    然 而，不只武漢新芯，各大記憶體大廠也爭相加大 3D NAND Flash 的投資，英特爾大連廠轉(zhuǎn)生產(chǎn) 3DNAND Flash，于下半年產(chǎn)能開出，SK 海力士在三月初則傳出投入 15.5 兆韓圜(約 4，500 億新臺(tái)幣)擴(kuò)充 NAND Flash 產(chǎn)能，并于 2019 投產(chǎn)， 17 日，東芝也宣布三年內(nèi)要投資 3，600 億日?qǐng)A建廠擴(kuò)產(chǎn)，同樣押寶 3D NAND Flash。

 

    外資 RBC Capital Markets 分析師 Amit Daryanani 近期的報(bào)告即發(fā)出憂心，在業(yè)者紛紛轉(zhuǎn)進(jìn) 3D NAND Flash 下，平均銷售價(jià)格(ASP)將被拉低，甚至可能出現(xiàn)價(jià)格暴跌的情形，使得部分廠商陷入困境。3D NAND Flash 未來是否會(huì)掀起一場價(jià)格血雨同樣令人關(guān)注。