HD1010 15W全橋功率級(jí)無線充發(fā)射端芯片
字號(hào):T|T
HD1010 15W全橋功率級(jí)無線充發(fā)射端芯片是一個(gè)高度集成的無線電源發(fā)射機(jī)模擬前端,集成了一個(gè)全橋功率驅(qū)動(dòng)與mosfts,電流感知放大器,自舉電路,通信解調(diào)器,線性調(diào)節(jié)器和保護(hù)電路,包含了實(shí)現(xiàn)WPC兼容發(fā)射機(jī)所需的所有模擬組件。
一、電流感放大器
為了支持外部對(duì)象檢測(cè)(FOD), HD1010全橋功率級(jí)無線充發(fā)射端芯片感知設(shè)備的平均輸入電流的集成電流感知放大器的電壓增益為50。
對(duì)于當(dāng)前信號(hào)的適當(dāng)縮放,建議使用電流檢測(cè)電阻是10 mΩ/ 20 mΩ。電流感知放大器的輸出具有典型的0.5V偏移量當(dāng)感知電流為零時(shí)。為準(zhǔn)確的測(cè)量輸入電流時(shí),單片機(jī)需要校準(zhǔn)這個(gè)偏移量!
二、pwm控制
PWM1輸入控制內(nèi)部MOSFET Q1和Q2,PWM2輸入控制內(nèi)部MOSFET Q3和Q4。PWM1和PWM2能否獨(dú)立控制SW1和SW2占空比和頻率。請(qǐng)注意,死時(shí)間已經(jīng)到了在Q1(或Q3)至Q2(或Q4)期間實(shí)施在內(nèi)部,所以沒有必要在這段時(shí)間之間浪費(fèi)時(shí)間外部控制信號(hào)PWM1和PWM2。
三、下鎖(UVLO)
UVLO功能保護(hù)芯片不受at操作電力供應(yīng)不足。該芯片使所有功能失效如果輸入電壓低于3.4V(典型值),則不會(huì)重新啟動(dòng),直到輸入電壓高于3.6V(典型的)。
四、電壓調(diào)整器
HD1010無線充發(fā)射芯片具有集成的低漏出(LDO)電壓監(jiān)管機(jī)構(gòu)。內(nèi)部動(dòng)力驅(qū)動(dòng)和控制電路由這個(gè)電壓供電。VDD引腳提供a調(diào)節(jié)5.0V電壓電源。將這個(gè)引腳與電源解耦地面2.2μf低ESR陶瓷電容器靠近IC!
一旦PVIN位于UVLO閾值。它不受EN信號(hào)的控制。的VDD調(diào)節(jié)器的負(fù)載能力約為20mA,因此可以用于直接給單片機(jī)供電。
五、電壓解調(diào)
以提高通信的可靠性加載條件下,HD1010無線充發(fā)射端芯片已經(jīng)集成了兩個(gè)解調(diào)方案,一種基于輸入平均的解調(diào)方案電流信息和其他基于線圈電壓信息。電壓型包絡(luò)檢波器為使用所述的離散解決方案實(shí)現(xiàn)圖1。這個(gè)簡單的實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了包絡(luò)檢波器功能低通濾波器以及直流過濾功能。

六、當(dāng)前的解調(diào)
電流型檢測(cè)器接受調(diào)制信息來自平均輸入電流。電容器在CSO和IDM引腳之間可以過濾直流電流。的單片機(jī)可以在VDMO和VDMO上檢測(cè)解調(diào)結(jié)果然后實(shí)現(xiàn)IDMO引腳的數(shù)據(jù)包解碼。的單片機(jī)可以選擇電壓模式或電流模式信號(hào)取決于哪個(gè)產(chǎn)生最好的解調(diào)信號(hào)。

七、過流保護(hù)((OCP)
HD1010無線充發(fā)射端芯片集成了一個(gè)小嗝嗝模式過電流保護(hù)。電流的SW1高側(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和SW2檢測(cè)高側(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并與電流極限進(jìn)行比較每個(gè)開關(guān)周期的閾值。當(dāng)檢測(cè)到的電流達(dá)到限流閾值過電流故障計(jì)數(shù)器遞增。如果過流故障計(jì)數(shù)器達(dá)到8并溢出,全部4個(gè)內(nèi)部無論P(yáng)WM輸入是什么,fet都是關(guān)閉的。的集成電路持續(xù)打嗝模式10毫秒然后嘗試重啟。打嗝模式OCP保護(hù)可以大大降低平均電流到減輕熱問題,保護(hù)轉(zhuǎn)爐。一旦OCP條件被移除,HD1010將退出hiccup模式并恢復(fù)正常運(yùn)行。
八、超溫保護(hù)(OTP)
超溫保護(hù)(OTP)防止芯片在極高的溫度下工作。當(dāng)硅模溫度超過165℃時(shí),HD1010無線充發(fā)射芯片關(guān)閉。當(dāng)溫度低于閾值(通常為150℃)時(shí),HD1010 無線充發(fā)射端芯片芯片將再次啟用。
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