快充行業(yè)風(fēng)口已經(jīng)來(lái)臨,PD快充三大安全挑戰(zhàn)及對(duì)策!
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自從2017年9月蘋果iPhone 8首次引進(jìn)快充技術(shù),在隨后的iPhone X、iPhone Xs、iPhone Xs Max、iPhone Xr等所有iPhone機(jī)型都將支持USB PD快速充電功能作為標(biāo)準(zhǔn)配置,9月11日,喬布斯劇院召開(kāi)2019年秋季新品發(fā)布會(huì),正式發(fā)布2019年的三款全新的iPhone手機(jī):iPhone 11、iPhone 11 Pro和iPhone 11 Pro Max,三款手機(jī)均支持18W USB PD快充,其中iPhone 11 Pro系列的兩款機(jī)型更是標(biāo)配了USB-C接口的18W PD充電器和USB-C to Lightning快充數(shù)據(jù)線,是USB PD快充發(fā)展史上的轉(zhuǎn)折點(diǎn),標(biāo)志著快充行業(yè)風(fēng)口已經(jīng)來(lái)臨。

目前由于PD充電器的功率密度提高及輸出電壓范圍變寬,電源設(shè)計(jì)面臨著3大安全挑戰(zhàn):
1、電網(wǎng)波動(dòng):市電異常高壓易導(dǎo)致輸入電容爆裂,開(kāi)關(guān)管、保險(xiǎn)絲等元器件損壞!
2、功率器件發(fā)熱:快充因功率密度提高,異常工況下,功率器件大量發(fā)熱,有熔化外殼風(fēng)險(xiǎn)!
3、輸出過(guò)壓:異常工況下(開(kāi)環(huán)),輸出電壓高上加高,若超過(guò)PMU耐壓,有損壞手機(jī)風(fēng)險(xiǎn)!
在2019(秋季)USB PD&Type-C 亞洲大會(huì)上,芯朋微應(yīng)用技術(shù)總監(jiān)——王曠先生主講了《如何讓PD快充更安全?》,發(fā)布最新PD快充重磅IC及18-60W全系列安全PD充電解決方案!
一、市電異常高壓對(duì)充電器的影響及對(duì)策
市電高壓下,高壓電解電容的漏電流損耗會(huì)增加,當(dāng)C2過(guò)熱開(kāi)閥損壞后,等價(jià)為nF級(jí)電容,差模電感L1加變壓器漏感與寄生電容發(fā)生振蕩,振蕩尖峰電壓高達(dá)數(shù)百伏,易導(dǎo)致Q1擊穿,進(jìn)而損壞CS電阻等多個(gè)元器件。
對(duì)策1:直接采樣市電保護(hù)技術(shù)
PN8275P內(nèi)部850V高壓模塊,通過(guò)HV腳直接監(jiān)控市電,實(shí)現(xiàn)市電精準(zhǔn)OVP保護(hù)HV腳還兼有X電容放電和高壓?jiǎn)?dòng)功能,PN8275P外驅(qū)MOS方案適用于30W/45W/60WPD快充應(yīng)用。
對(duì)策2:間接釆樣市電保護(hù)技術(shù)
PN8161P(18WPD快充)內(nèi)置市電保護(hù)模塊,在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通階段,通過(guò)仁dmg電流判斷市電,可實(shí)現(xiàn)5%精度市電OVP保護(hù),移除傳統(tǒng)方案實(shí)現(xiàn)市電保護(hù)所需的9顆元器件。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果:(以18W PD為例)
市電OVP精準(zhǔn)保護(hù):升高市電至321ac時(shí)PN8161P自動(dòng)關(guān)閉PpWM,由于高壓電容損耗降低及環(huán)溫降低,從而有效保護(hù)高壓電容!

CH1:輸出電壓;CH4:市電
有效識(shí)別雷擊干擾:雷擊發(fā)生時(shí),高壓電容電短時(shí)間超過(guò)市電OvP閾值(464VDC),PN8161R自動(dòng)識(shí)別為雷擊干擾信號(hào),輸出電壓正常推持。

CH1:輸出電壓;CH4:高壓電容電壓
二、異常過(guò)溫對(duì)充電器的影響及對(duì)策
由于人體可觸摸到充電器的外殼,安規(guī)要求外殼溫度需低于75度。PD快充由于功率密度更高,異常工況下功率器件大量發(fā)熱,有熔化外殼風(fēng)險(xiǎn)。
對(duì)策:控制芯片內(nèi)置OTP保護(hù)市電
PN8161(18W PD)集成控制器+智能MOS,采用3D疊層封裝技術(shù)控制器精準(zhǔn)監(jiān)控功率MOS溫度,實(shí)現(xiàn)低成本、精準(zhǔn)快過(guò)熱安全保護(hù)!
PN8275(30-60W PD)同時(shí)提供芯片內(nèi)部和芯片外部的雙重OTP保護(hù)。芯片內(nèi)溫度超過(guò)145℃,芯片進(jìn)入過(guò)溫保護(hù)狀態(tài);通過(guò)外部NTC檢測(cè)系統(tǒng)熱點(diǎn)是否超過(guò)定值,復(fù)用CS腳實(shí)現(xiàn)保護(hù)。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果:(以18W PD為例)
加重負(fù)載,功率器件溫升不斷升高,當(dāng)PN8161表面溫度至127.3度,充電器OTP保護(hù)。

CH1:PN8161;CH2:變壓器;CH3:殼內(nèi)環(huán)溫
三、輸出過(guò)壓對(duì)充電器的影響及對(duì)策
異常工況下(如閉環(huán)控制異常),PD充電器輸出電壓會(huì)高上加高,如果USB口電壓超過(guò)手機(jī)內(nèi)部的PMU單元耐壓(典型值16V),則損壞手機(jī)!因此,應(yīng)合理設(shè)計(jì)充電器的輸出過(guò)壓保護(hù)(典型值低于15V)。
對(duì)策:PN8275/PN8161在變壓器去磁期間采樣輔助繞組電壓,通過(guò)對(duì)輸出電壓的間接采用實(shí)現(xiàn)異常過(guò)壓保護(hù)。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果:(以18W PD為例)
短路光耦次級(jí)模擬反饋異常,輸出電壓升高至14.4V時(shí),觸發(fā)PN8161輸出過(guò)壓保護(hù)。

CH1:輸出電壓;CH4: PN8161芯片供電
PN8161典型應(yīng)用于18W PD充電器,除外圍精簡(jiǎn)外,芯片通過(guò)DMG腳開(kāi)關(guān)波形間接采樣市電和輸出電壓,實(shí)現(xiàn)市電OVP和輸出電壓OVP,避免充電器內(nèi)部器件或手機(jī)PMU過(guò)壓損壞。芯片采用3D疊層封裝技術(shù),控制器可精準(zhǔn)監(jiān)控內(nèi)部智能功率MOS溫度,實(shí)現(xiàn)低成本、精準(zhǔn)快OTP,有效防止功率器件過(guò)熱引起的安全問(wèn)題。

18W PD快充方案亮點(diǎn):
節(jié)省10顆以上外圍: 無(wú)啟動(dòng)電阻、無(wú)CS偵測(cè)網(wǎng)絡(luò),原副邊均實(shí)現(xiàn)SOP8功率集成;
滿足CoC V5 Tier 2:專利高壓?jiǎn)?dòng),實(shí)現(xiàn)30mW待機(jī)功耗;工作曲線隨輸出電壓自適應(yīng),不同輸出電壓下平均效率裕量均大于4個(gè)點(diǎn);
EMC性能卓越:抖頻幅度隨負(fù)載自適應(yīng),改善傳導(dǎo);DCM/QR工作模式,避免次級(jí)整流管反向恢復(fù)問(wèn)題,改善輻射;
3.3~12V寬輸出電壓范圍:PN8161/PN8307H供電范圍寬,無(wú)需額外LDO穩(wěn)壓;
協(xié)議芯片任意搭:SSR架構(gòu),方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。

PN8275典型應(yīng)用于30W/45W/60W PD充電器,芯片通過(guò)850V耐壓HV腳直接監(jiān)控市電實(shí)現(xiàn)市電OVP保護(hù),并兼具高壓?jiǎn)?dòng)、X電容放電等功能。芯片內(nèi)置片內(nèi)OTP和片外OTP,可監(jiān)控充電器多個(gè)熱點(diǎn),實(shí)現(xiàn)雙重OTP保護(hù),更安全。此外,DMG實(shí)現(xiàn)輸出過(guò)壓保護(hù)和OCP線電壓補(bǔ)償,避免輸出電壓異常損壞手機(jī)電池管理電路。
驪微電子作為芯朋微一級(jí)代理商、本著為客戶提供低價(jià)格、高效率,低功率,高效應(yīng)的宗旨,合作三年有余,致力于電源方案設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)及芯片銷售,團(tuán)隊(duì)具有8年以上電源方案設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),擁有豐富的開(kāi)關(guān)電源、充電器、適配器、小家電等產(chǎn)品的實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)及現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù),為客戶提供一站式的電源解決方案,更多PD快充產(chǎn)品的詳細(xì)手冊(cè)或技術(shù)資料,請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
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